CVD diamond growing system CVD人造鉆石培育系統(tǒng)
CVD培育鉆石是一種由直徑10到30納米鉆石晶體合成的多結(jié)晶鉆石，它的化學成分為碳，運用先進的設備模擬大自然中鉆石生長環(huán)境，通過化學氣象沉積技術(shù)（CVD）栽種而成。
該系統(tǒng)采用微波等離子體CVD技術(shù)，使天然氣和氫氣加熱后，在壓力室內(nèi)形成碳等離子體，該等離子體不斷沉積在壓力室底部的碳底層上，逐漸積聚和硬化，形成鉆石薄片。
通過等離子增加前驅(qū)體的反應速率，降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量硬質(zhì)薄膜和晶體。
HCVAC等離子技術(shù)解決了傳統(tǒng)等離子技術(shù)的局限，可以在10mbar到室壓范圍內(nèi)激發(fā)高穩(wěn)定度的等離子團，減少因氣流、氣壓、氣體成分、電壓等因素波動引起的等離子體狀態(tài)的變化，確保單晶生長的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
應用范圍
高品質(zhì)單晶金剛石、多晶金剛石的批量生長（大尺寸寶石級單晶鉆石、高取向度金剛石晶體、納米結(jié)晶金剛石、碳納米管/類金剛石碳（DLC））。
同時適用于其它硬質(zhì)材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉積和晶體合成。
多種薄膜的CVD制備、材料表面處理和改性、低溫氧化物的生長等。
適合光學、電子、工具級金剛石膜或單晶、石墨烯等的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，材質(zhì)表面處理、低溫氧化物的生長等。
